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几层 CrSBr 中激子和磁性的掺杂控制
Nature Communications ( IF 14.7 ) Pub Date : 2024-06-03 , DOI: 10.1038/s41467-024-49048-9
Farsane Tabataba-Vakili 1, 2 , Huy P G Nguyen 1 , Anna Rupp 1 , Kseniia Mosina 3 , Anastasios Papavasileiou 3 , Kenji Watanabe 4 , Takashi Taniguchi 5 , Patrick Maletinsky 6 , Mikhail M Glazov 7 , Zdenek Sofer 3 , Anvar S Baimuratov 1 , Alexander Högele 1, 2
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二维材料中的磁性揭示了不同于块状磁性晶体的现象,对单层和双层范德华磁体 CrI3 中的电荷掺杂和电场敏感。在层状磁体类别中,半导体 CrSBr 因其在环境条件下的稳定性、激子与磁序相关联而脱颖而出,从而提供强大的磁振子-激子耦合,并表现出激子-极化激元的特殊磁光学特性。在这里,我们证明了双层和三层 CrSBr 中的激子和磁跃迁都对电压控制的场效应电荷敏感,表现出结合的激子电荷复合物和掺杂诱导的超磁跃迁。此外,我们展示了这些独特的特性如何使局部磁序的光学探针成为可能,可视化由磁场或静电掺杂引起的超磁跃迁中竞争相的磁畴。我们的工作将几层 CrSBr 确定为探索电荷、光学激发和磁性协同效应的丰富平台。

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