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多通道 Cl + CH3X [X = F, Cl, Br, I] 反应势能表面的基准从头算表征
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2024-06-03 , DOI: 10.1039/d4cp01578a
Dorina R Gál 1 , Dóra Papp 1 , Gábor Czakó 1
Affiliation
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我们确定 Cl + CH 3 X [X = F, Cl, Br, I] 反应驻点的基准几何形状和相对能量。我们考虑四种可能的反应途径：夺氢、氢取代、卤素夺取和卤素取代，其中取代过程可以通过瓦尔登反转或前端攻击进行。我们执行几何优化并在明确相关的 UCCSD(T)-F12b/aug-cc-pVTZ 理论水平上获得谐波振动频率，然后进行 UCCSD(T)-F12b/aug-cc-pVQZ 单点计算以进行有限基组误差可以忽略不计。为了达到化学（<1 id=122> -1 ），甚至亚化学（<0 id=124> -1 ）精度，我们包括核心关联、标量相对论、后（T）、自旋轨道分裂和所有静止点的相对能量中也有零点能量贡献。我们的基准 0 K 反应焓与可用的实验结果进行了比较，结果显示出良好的一致性。驻点结构和能量学根据哈蒙德假设进行解释，并用于做出与这些反应系统的动态行为相关的预测。
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