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通过低温聚合物间键合促进 3D 多芯片集成

ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2024-05-16 , DOI: 10.1021/acsaelm.4c00577
Jihun Kim 1 , Nam Ki Hwang 2 , Seul Ki Hong 2 , Min Ju Kim 2, 3, 4 , Jong Kyung Park 1
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人工智能技术不断发展,对高性能半导体器件的需求需要 3D 互连技术的进步。本研究重点关注 Cu-Cu 与聚合物材料的杂化键合,特别是聚 1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环硅氧烷 (pV3D3),其以低介电常数 (k = 2.2) 着称。利用引发化学气相沉积,沉积 pV3D3 聚合物薄膜,具有无溶剂、室温沉积和无针孔薄膜等优点。该研究调查了多芯片堆叠在低温环境下聚合物对聚合物热压接合(TCB)的可行性。通过 FTIR 和 XPS 等综合分析表明,表面处理(包括固化和 O 2 等离子体处理)在创建 Si-O-Si 桥并促进晶圆到晶圆和通过表面功能进行芯片到芯片的接合。表面处理后在 30 °C、4.5 MPa 的压力下进行 TCB,剪切强度达到 18.94 MPa,展示了低温键合在推进 3D 互连技术方面的潜力。通过深入研究分子结构的变化和对键合机制进行建模,这项研究为各种类型的聚合物键合提供了有益的基础。这项研究有助于开发用于微间距1μm或更小的高密度和高性能互连技术的铜/聚合物混合键合。




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更新日期:2024-05-16
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