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基于WS2的多层垂直异质结构的CVD生长和层间相互作用与底层从MoS2到合金MoxW1-xS2的演变
Materials Today Communications ( IF 3.7 ) Pub Date : 2024-05-05 , DOI: 10.1016/j.mtcomm.2024.109136
Teyang Zhang , Aonan Zong , Yuxin He , Lili Liu , Fei Chen , Weitao Su
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通过堆叠各种二维 (2D) 过渡金属硫化物 (TMDC) 晶体构建垂直范德华 (vdW) 异质结构 (HS),为通过转移方法改变相对物理特性提供了另一种途径。然而,通过一步化学气相沉积 (CVD) 制造 2D 多层 TMDC vdW HS 仍然具有挑战性。在这项工作中,通过结合前驱体旋涂和一步 CVD 方法的策略,实现了高产率 2D TMDC vdW HS,例如 1 L-MoS2/1 L-WS2、4 L-MoS2/2 L-WS2、4 L-MoxW1-xS2/3 L-WS2 和 1 L-MoxW1-xS2/2 L-WS2。这些独特的多层 vdW HS 的结构、组成分布、激子行为和层间相互作用通过光学显微镜、原子力显微镜和拉曼/光致发光测量进行系统估计。我们进一步揭示了层数和组成对 848-955 nm 范围内层间激子进化的影响,以及基于生长的 WS2 多层 vdW HSs 的可能生长机制。我们的结果证明了调节层间激子光发射的前景,并促进了基于多层 2D TMDC vdW HS 的新型光电子学的发展。

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