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富氮高能材料的光电子能谱和密度泛函理论研究
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2016-10-24 12:44:02 , DOI: 10.1063/1.4964944 Zhen Zeng 1 , Elliot R. Bernstein 1
The Journal of Chemical Physics ( IF 3.1 ) Pub Date : 2016-10-24 12:44:02 , DOI: 10.1063/1.4964944 Zhen Zeng 1 , Elliot R. Bernstein 1
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分子阴离子高能材料（EMs）DAAF（3,3'-diamino-4,4'-azoxyfurazan），FOX-7（1,1-diamino-2,2-dinitroethene），5,5的几何和电子结构利用阴离子光电子能谱和密度泛函理论计算研究了'-BT（5,5'-双四唑）和1,5'-BT（1,5'-双四唑）。确定所观察到的阴离子，高能材料相关物质的电子结合能，并指定其相应的阴离子结构。带有负电荷的EM的分解反应可能会与其相关的中性EM发生不同的能垒，从而产生不同的机理。基于这些EM物种的阴离子初始片段的反应性进一步增强了它们各自的高反应性和爆炸性。EM形式的碎片离子-另外观察到-HX（X = N 2，N 2 + NH，…）。对此类物质的检测表明，EM -- H可作为有前途的新兴EM候选者，前提是假定此类物质可合成获得，也许是高能盐。垂直分离能的转换到地面和中性染料基质阴离子DCM的第一三线态电子激发态-附加地确定。
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更新日期：2016-10-25
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