<br>MOCVD 生长的层状 h-BN 上晶圆级单晶 AlN 薄膜的受控剥离,Applied Physics Letters

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MOCVD 生长的层状 h-BN 上晶圆级单晶 AlN 薄膜的受控剥离
Applied Physics Letters ( IF 3.5 ) Pub Date : 2024-04-29 , DOI: 10.1063/5.0211872
Lulu Wang _{1,

2} , Yiwei Duo _{1,

2} , Yijian Song _{1,

2} , Ziqiang Huo _{1,

2} , Jiankun Yang _{1,

2} , Junxue Ran _{1,

2} , Jianchang Yan _{1,

2} , Junxi Wang _{1,

2} , Jinmin Li _{1,

2} , Tongbo Wei _{1,

2}

Affiliation

在这项工作中，我们提出了一种在 h-BN 辅助下具有更高晶体质量的无应力 AlN 薄膜，并展示了晶圆级单晶 AlN 独立膜的机械剥离，并揭示了 AlN 的可控剥离机制。通过金属有机化学气相沉积，使用流动调制外延模式直接在 c 面蓝宝石上生长均匀且连续的晶圆级 h-BN。揭示了 AlN 在 h-BN 上的准范德华外延（QvdWE）的成核和演化过程。研究发现，O2 等离子体处理的 h-BN 可以有效促进 AlN 的成核岛，并有助于释放双轴应力和降低外延层中的位错密度。最终，实现了无应力 AlN 薄膜（0.08 GPa）的 QvdWE 生长，并实现了 AlN 膜的晶圆级机械剥离。这项工作为 III 氮化物薄膜的质量改进提供了有效的策略，并为垂直结构和柔性深紫外光电器件铺平了道路。

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更新日期：2024-04-29

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