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TiN中位错运动的解析剪切应力的实验量化
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-06-15 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b00791 N. Li , A. Misra 1 , S. Shao , J. Wang
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2015-06-15 00:00:00 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b00791 N. Li , A. Misra 1 , S. Shao , J. Wang
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在单位错位滑移水平上对临界分辨剪切应力（CRSS）进行实验量化仍然是一个挑战。通过在高分辨率透射电子显微镜中使用原位纳米压痕并对获得的结构图像进行应变分析，CRSS用于{110}⟩011⟩滑移系统上单个位错的运动以及倾斜晶界滑移位错的重新发射在TiN中被量化。这项工作提供了一种方法来测量与高强度材料中的位错运动相关的局部应力。
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更新日期：2015-06-15
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