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点缺陷对1T-MoS2/2H-MoS2/1T-MoS2异质结能带排列和输运性能的影响
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2024-04-18 , DOI: 10.1039/d4cp00707g
Yifei Cong 1 , Bairui Tao 2 , Xinzhu Lu 1 , Xiaojie Liu 1 , Yin Wang 3 , Haitao Yin 1
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缺陷是材料制备过程中不可避免的组成部分，会对二维器件的性能产生重大影响。在这项工作中，我们从理论上研究了不同类型和位置的点缺陷对金属1T相MoS 2 /半导体2H相MoS 2结的能带排列和传输特性的影响。我们发现结的肖特基势垒取决于缺陷的类型及其位置，同时沿 2H 相 MoS 2的锯齿形和扶手椅方向表现出各向异性特征。此外，中心散射区域中的缺陷可以产生局部杂质态并引入新的透射峰，而界面处的缺陷不会产生与杂质态相关的透射峰。这些与缺陷相关的峰和肖特基势垒共同影响结的传输特性。了解设备缺陷的复杂行为可以避免损害，从而使材料制备过程更加高效。
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