摘要

在不同的退火温度和掺杂剂类型下，对Si-sub./SiO ₂ /HfO ₂ /TiN层状结构中的HfO ₂活性层进行了Rietveld定量物相分析。 HfO ₂晶体结构还通过透射电子显微镜进行了检查。已经发现了掺杂剂价数和HfO ₂膜中形成的结晶相之间的关系。结果表明，Al掺杂后进行高温退火可防止四方相（sp. gr. P 42/ nmc）的形成，有利于极性斜方相（sp. gr. Pca 2 ₁）的形成。所得结果可用于合成用于非易失性存储系统的HfO _{2基铁电薄膜。}

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