激光加热基座生长法生长的无偶结构LuAG:Ce-LuAG闪烁单晶光纤,Crystal Growth & Design

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激光加热基座生长法生长的无偶结构LuAG:Ce-LuAG闪烁单晶光纤
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2024-04-05 , DOI: 10.1021/acs.cgd.4c00056
Xibin Wang _{1,

2} , Xiang Li _{2,

3} , Mingxue Deng _{2,

3} , Zhen Zhang _{1,

2} , Fan Yang ₄ , Huamin Kou _{1,

2} , Liangbi Su _{1,

2} , Anhua Wu _{1,

2} , Junfeng Chen _{2,

3}

Affiliation

LuAG:Ce闪烁体具有优异的物理和闪烁特性，已广泛应用于辐射探测。然而，Ce ³⁺离子的自吸收效应、耦合损耗和系统的耐辐射性等三个现有问题限制了LuAG:Ce闪烁体的应用。为了解决这些问题，采用激光加热基座生长方法生长了一种具有检测和传输综合性能的无偶 LuAG:Ce-LuAG 闪烁单晶光纤（SSCF）。 Ce元素沿生长的LuAG:Ce-LuAG SSCF的生长方向呈现三段分布。 LuAG:Ce-LuAG SSCF 的 LuAG:Ce 检测段长度为 1–1.5 cm，有利于增强 X 射线或伽马射线辐射下 SSCF 收集端面输出闪烁光的强度。 LuAG:Ce SSCF的热发光积分强度在498 K时仍保持81%，在78 K时比室温增加134%。该设计有望实现从 SSCF 传输输出端收集的闪烁光强度。

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更新日期：2024-04-05

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