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共掺杂范德华铁磁体 Fe3GaTe2 中与层数相关的磁性
Nano Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2024-03-27 , DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c05148 Mingjie Wang 1 , Kejia Zhu 1 , Bin Lei 1 , Yazhou Deng 1 , Tao Hu 1 , Dongsheng Song 2 , Haifeng Du 3 , Mingliang Tian 1 , Ziji Xiang 4 , Tao Wu 4 , Xianhui Chen 4, 5, 6
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最近，范德瓦尔斯（vdW）反铁磁体被认为对于自旋电子学至关重要，因为与铁磁体相比，它们具有良好的特性，包括对磁扰动的鲁棒性和高频率的自旋动力学。高性能和高能效的自旋功能通常依赖于电流驱动的自旋态操纵和检测，这凸显了二维金属反铁磁体的重要性，但由于缺乏合适的材料，二维金属反铁磁体尚未得到太多探索。在这里，我们报道了一种通过钴（Co）掺杂从铁磁体 Fe 3 GaTe 2中获得的新型金属 vdW 反铁磁体。通过层数相关的霍尔电阻和磁阻测量，在其少层薄片中观察到明显的奇偶层数效应，表明它可能具有A型反铁磁结构。钴掺杂 Fe 3 GaTe 2中这种奇特的层数依赖性磁性有助于揭示这种掺杂 vdW 磁体中的复杂磁性结构，我们的发现将丰富自旋电子应用的材料候选和自旋功能。
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