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Cr3+、Ni2+共掺杂Sr2GaTaO6荧光粉蓝光激发下NIR-I和NIR-II的超宽带发射通过双位点占据和有效能量转移实现

Laser & Photonics Reviews ( IF 9.8 ) Pub Date : 2024-03-20 , DOI: 10.1002/lpor.202400105
Yifu Zhuo 1 , Fugen Wu 2 , Yaping Niu 1 , Yun Wang 1 , Qi zhang 3, 4, 5 , Yun Teng 4, 5 , Huafeng Dong 6 , Zhongfei Mu 1, 2, 7
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近红外荧光粉转换发光二极管(NIR pc-LED)的性能主要取决于所使用的近红外发射荧光粉。 Cr 3+掺杂材料可以被蓝光芯片激发,但其发射位于 NIR-I 区域(650–1000 nm)。 Ni 2+掺杂材料主要位于NIR-II区域(1000~1700 nm),但不能被蓝光芯片有效激发。本文制备并研究了Cr 3+ 、Ni 2+单掺杂和共掺杂Sr 2 GaTaO 6近红外发射磷光体。 Cr 3+和Ni 2+离子占据Ga 3+和Ta 5+的两个八面体位点。 Cr 3+离子的共掺杂取得了两大突破。一是由于能量从Cr 3+到Ni 2+的转移(效率高达70%),将最佳激发波长从紫光转移到蓝光。另一个是实现跨NIR-I和NIR-II区域(650-1700 nm,半峰全宽(FWHM)为410 nm(173 nm + 237 nm))的宽带连续发射。所制备的Sr 2 GaTaO 6 : 0.02Cr 3+ , 0.01Ni 2+荧光粉与商用460 nm蓝光芯片结合,实现其在有机化合物识别、夜视、生物成像等方面的应用。这项工作为高效超宽带近红外发射荧光粉的未来发展指明了方向。




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更新日期:2024-03-20
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