二维材料，例如 sp 键合氮化硼 (BN) 和石墨烯，已被证明是独立 III 族氮化物材料生长和制造的优异模板。在此，使用 MOCVD 在两英寸蓝宝石衬底上成功生长了晶圆级 sp 键合 BN 薄膜作为释放层。研究了在 BN 表面生长的氮化镓 (GaN) 和氮化铝 (AlN) 的不同成核机制。我们发现，与 GaN 相比，AlN 在 BN 表面具有更高的成核岛密度，这有利于 GaN 外延层更好的合并。此外，通过调整AlN的生长温度来优化GaN外延层的质量。随后在质量最好的GaN上生长出完整的AlGaN/GaN异质结结构，其平均迁移率和层间载流子浓度约为1600 cm V·s和1 × 10 cm。最后，使用胶带轻松地将AlGaN/GaN异质结从衬底上转移，这证明了sp键合BN具有良好的2D特性，并且可以对上层器件进行非破坏性范德华转移。



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