了解氢氟酸 (HF) 溶液中二氧化硅 (SiO) 蚀刻机制对于半导体制造工艺非常重要。先前对 SiO2 蚀刻机理的研究声称，只有二氟化物 (HF) 参与 SiO2 蚀刻。然而，在这项研究中，观察到 SiO2 的蚀刻发生在 HF 溶液中，其中几乎不存在二氟化物。因此，提出了一种新的 SiO 蚀刻机制和反应速率。在不同 pH 条件下使用不同浓度的 HF 和氟化铵 (NHF) 来蚀刻 SiO，导致 SiO 蚀刻速率为 510[F] + 610[HF] + 2890[HF] (Å/min)。 HF 是 SiO 蚀刻的主要贡献者；然而，与之前的SiO蚀刻机制不同，F和HF对SiO蚀刻的影响包含在SiO蚀刻速率中。考虑到具有不同 SiO2 表面状态的各种氟物质之间的反应，SiO2 蚀刻速率有效地代表了在更宽的 pH 范围（最高 pH 5）的各种条件下 SiO2 蚀刻行为。控制氟物质、F、HF、和 HF，我们的蚀刻模型也可以扩展到 SiO2 的选择性蚀刻。



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