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FeSn 中 Kagome 蜂窝横向异质结构中电子态的距离依赖演化
ACS Nano ( IF 15.8 ) Pub Date : 2024-03-15 , DOI: 10.1021/acsnano.3c11381 Tuan Anh Pham 1 , Seoung-Hun Kang 2 , Yasemin Ozbek 1 , Mina Yoon 2 , Pengpeng Zhang 1
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在这项工作中，我们展示了含有 Kagome 和蜂窝层的 FeSn 中横向异质界面的形成和电子影响。横向异质结构提供空间分辨率的属性控制，从而能够集成不同材料并促进垂直异质结构中通常观察不到的现象。利用分子束外延技术，我们实现了 Kagome 金属 FeSn 中横向异质结构的可控合成。通过扫描隧道显微镜/光谱学与第一原理计算相结合，我们对连接 Fe 3 Sn 封端 Kagome 和 Sn 2封端蜂窝表面的键合图案有了全面的了解。更重要的是，我们揭示了异质界面附近电子态的距离依赖性演化。这种演化受到平带轨道特征的显着影响。我们的研究结果提出了一种调节 Kagome 晶格电子特性的方法，这应该有利于未来量子器件的发展。
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