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Cu2Se 半导体中的电触发畴壁运动
ACS Applied Materials & Interfaces ( IF 8.3 ) Pub Date : 2024-03-14 , DOI: 10.1021/acsami.3c18806 Ruifeng Dong 1, 2 , Zhengzhou Wang 1 , Hui Bai 1 , Chenghao Xie 1 , Gangjian Tan 1 , Qingjie Zhang 1 , Jinsong Wu 1, 2
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离子导电的α-Cu 2 Se被发现具有反极性偶极子，并且在施加电压下磁畴边界的移动引起电阻的变化，在忆阻器中显示出良好的应用前景。然而，由于α-Cu 2 Se中Cu离子的复杂排序，存在多种类型的畴壁结构。在这里，我们表明，通过控制从高温立方β-Cu 2 Se到α-Cu 2 Se相变过程中的电压，可以在α-Cu 2 Se中形成两种典型的畴壁。我们还通过原位透射电子显微镜表明，所形成的[01̅0]/[101̅]畴壁在施加的外部电压下执行可逆运动，而[010]/[01̅0]畴壁不移动。我们进一步证明，[010]/[01̅0]磁畴壁的钉扎可能是由于界面中形成的位错造成的。这项研究表明，应用预处理条件对于获得 α-Cu 2 Se 的设计微观结构和电阻性能非常重要。
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