表面活性剂辅助合成用于 X 射线闪烁成像的杂化卤化铜 (I) 纳米晶体,Chemistry of Materials

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表面活性剂辅助合成用于 X 射线闪烁成像的杂化卤化铜 (I) 纳米晶体
Chemistry of Materials ( IF 7.2 ) Pub Date : 2024-03-13 , DOI: 10.1021/acs.chemmater.4c00020
Ranran Gu ₁ , Kai Han ₁ , Jiance Jin ₁ , Hao Zhang ₁ , Zhiguo Xia _{1,

2}

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将发光金属卤化物微晶加工成对应的纳米晶体（NC）可以合理地提高X射线闪烁成像的分辨率。混合数控发光材料的受控合成仍然是一个挑战，这对于有机薄膜的制造很重要。在此，我们设计合成铜(I)基卤化物Cu ₆ I ₈ (bu-ted) ₂ (Cu ₆ I ₈ C ₂₀ H ₄₂ N ₄ ) (bu-ted: 1-丁基-1,4-二氮杂双环) [2.2.2] 辛烷-1-ium) NCs 通过表面活性剂辅助方法利用表面张力来限制晶体尺寸。 Cu ₆ I ₈ (bu-ted) ₂ NC 具有突出的接近一致的光致发光量子产率，可产生超高光输出，经计算为具有低量子产率的商用 Lu ₃ Al ₅ O ₁₂ :Ce ³⁺闪烁体的480%检测限为 32 nGy/s。基于大面积 Cu ₆ I ₈ (bu-ted) ₂复合闪烁屏的制造，证明了空间分辨率为 17 lp mm ^–1的 X 射线成像。这项研究为铜（I）基混合卤化物闪烁体的纳米晶化提供了一种基础方法，以实现出色的 X 射线成像。

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更新日期：2024-03-13

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