二硫化钼（MoS）作为一种新型半导体材料，在传感器、催化剂和光电器件等方面具有巨大的应用潜力。在这项研究中，我们的目的是通过理论上探索不同层数的 MoS2 薄膜对限制在基板上金尖端形成的纳米腔内的单个分子的尖端增强荧光的影响，来研究 MoS2 的独特光学性质。详细定量分析了入射角、层数、尖端半径和尖端-MoS2薄膜距离对激发场、量子产率和荧光增强的影响。结果表明，多层MoS2薄膜的存在可以显着改善尖端增强荧光光谱。在强间隙模式等离子体耦合效应中，当其由六层组成时，在 660 nm 激发波长下，最大荧光增强达到约 5 个数量级。此外，拉曼和荧光的空间分辨率随着尖端半径和间隙距离的减小而增加，分别达到最大值 2.6 nm 和 3.8 nm。我们的研究结果为进一步理解二维材料在光学实验中的应用提供了理论指导。



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