当前位置:
X-MOL 学术
›
Nanoscale Horiz.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
选择性激活 MoS2 晶界以增强电化学活性
Nanoscale Horizons ( IF 8.0 ) Pub Date : 2024-03-04 , DOI: 10.1039/d4nh00005f Radha Raman, Jeyavelan Muthu, Zhi-Long Yen, Mohammad Qorbani, Yu-Xiang Chen, Ding-Rui Chen, Mario Hofmann, Ya-Ping Hsieh
二硫化钼(MoS 2 )已成为一种有前景的催化和可持续能源转换材料。然而,其基面对电化学反应的惰性给晶圆级MoS 2在电催化中的应用带来了挑战。为了克服这一限制,我们提出了一种通过优先激活其埋藏晶界(GB)来增强连续MoS 2催化活性的技术。通过温和的紫外线照射,观察到 GB 活性显着增强,接近 MoS 2边缘的值,这已通过位点选择性光沉积技术和微电化学析氢反应 (HER) 测量证实。结合光谱表征和从头算模拟表明,晶界处的替代氧官能化是这种选择性催化增强一个数量级的根源。我们的方法不仅提高了MoS 2催化过程中活性位点的密度,而且产生了一种新的光催化转化过程。通过利用活化GBs和基面之间电子结构的差异,实现了同质组成连接,将氢的光催化合成提高了47%,并实现了超越其他催化位点能力的性能。
"点击查看英文标题和摘要"