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原位揭示卤化物钙钛矿忆阻器的电阻开关机制
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2024-02-26 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c03558 Hongqiang Luo 1 , Lihua Lu 1 , Jing Zhang 1 , Yikai Yun 1 , Sijie Jiang 1 , Yuanyuan Tian 1 , Zhongli Guo 1 , Shanshan Zhao 1 , Wenjie Wei 1 , Wenfeng Li 1 , Beier Hu 1 , Rui Wang 1 , Shaoqun Li , Mengyu Chen 1, 2 , Cheng Li 1, 2
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有机-无机卤化物钙钛矿已成为下一代存储器件（即忆阻器）最有前途的候选材料之一，具有优异的性能和可溶液加工的制备方法。然而，由于缺乏原位可视化表征方法，基于钙钛矿的忆阻器的电阻切换机制仍然不明确。在这里，我们利用原位光致发光（PL）成像显微镜直接观察钙钛矿忆阻器在外部电场下的开关过程。此外，研究了导电丝（CF）的相应元素组成，表明相对于顶部电极的活性的金属CF对于器件性能至关重要。最后，电化学阻抗谱（EIS）揭示了离子态的转变与金属CF的形成有关。这项研究深入探讨了钙钛矿忆阻器的开关机制，为开发和优化大规模应用的高性能钙钛矿忆阻器铺平了道路。
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