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单旋转晶圆工艺中 HF/HNO3 混合物的硅刻蚀过程行为分析
Solid State Phenomena Pub Date : 2018-08-31 , DOI: 10.4028/www.scientific.net/ssp.282.83
Takashi Oinoue 1 , Suguru Saito 2 , Atsushi Okuyama 2 , Yoshiya Hagimoto 2 , Hayato Iwamoto 2
Solid State Phenomena Pub Date : 2018-08-31 , DOI: 10.4028/www.scientific.net/ssp.282.83
Takashi Oinoue 1 , Suguru Saito 2 , Atsushi Okuyama 2 , Yoshiya Hagimoto 2 , Hayato Iwamoto 2
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HF/HNO3 混合硅刻蚀工艺广泛用于去除硅片背面研磨后的应力和损伤层。尽管关于浸渍工艺的报道很多，但关于单次旋转工艺的详细报道却很少。在单次旋转工艺中，不同 HF/HNO 的 Si 蚀刻速率分布有很大差异3 浓度。另一方面，热SiO2 即使使用不同的 HF/HNO，蚀刻速率分布也相似3 浓度。在这项工作中，我们在处理各种 HF/HNO 后使用 XPS（X 射线光电子能谱）分析了硅表面3 混合物浓度。二氧化硅X 在任何晶圆位置和 HNO 中保持稳定3 浓度，而 SiO22 增稠取决于 HNO3 集中在中心。我们假设 Si 蚀刻速率分布是由 HF 或 HNO 引起的3 消耗并在晶圆中心 SiN 覆盖实验中证实了这一假设是正确的。
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更新日期：2018-08-31
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