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通过 Au 插层二维 Fe3GeTe2 调整 d 轨道电子结构以增加表面等离子体激元活性
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2024-02-08 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c02742
Junxiang Li 1, 2 , Qiqi Li 2, 3 , Haochuan Feng 1, 2 , Keke Jiao 2, 4 , Changjin Zhang 4 , Shirui Weng 1 , Liangbao Yang 1, 2, 5
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虽然广泛的研究致力于非贵金属内的等离子体激元调谐，但先前的研究主要集中在显着增强材料中固有的低浓度自由载流子，而很少考虑电子轨道对表面等离子体激元的影响。在这里，我们成功地将Au原子嵌入到Fe 3 GeTe 2 (FGT)的层状结构中，从而对FGT的轨道电子态或结构进行控制。这种干预不仅放大了电荷密度和电子迁移率，而且还减轻了与带间跃迁相关的损失，从而增加了二维 FGT 表面等离子体活性。因此，Au插层FGT作为表面增强拉曼散射基底检测结晶紫分子，检测线比Au插层前高3个数量级。我们的工作为进一步研究等离子体效应以及表面等离子体共振行为与电子结构之间的关系提供了见解。
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