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基于 LNOI 薄膜平台的宽带等离子改性 SnSe2 光电探测器
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2024-02-13 , DOI: 10.1002/admi.202301094
Yi Liu 1 , Wenqing Sun 1 , Zixu Sa 1 , Fengjing Liu 1 , Feng Ren 2 , Zaixing Yang 1 , Yuechen Jia 1 , Xiaoli Sun 1 , Feng Chen 1
Advanced Materials Interfaces ( IF 4.3 ) Pub Date : 2024-02-13 , DOI: 10.1002/admi.202301094
Yi Liu 1 , Wenqing Sun 1 , Zixu Sa 1 , Fengjing Liu 1 , Feng Ren 2 , Zaixing Yang 1 , Yuechen Jia 1 , Xiaoli Sun 1 , Feng Chen 1
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绝缘体上铌酸锂(LNOI)由于其独特的铁电特性和光折变效应而被广泛认为是重要的光电集成平台。然而铌酸锂的宽带隙和弱吸收限制了其在集成光电探测领域的进一步应用。为了解决这个问题,提出将银纳米颗粒封装在LNOI结构内,通过局域表面等离子体共振(LSPR)效应来操纵改性铌酸锂的光场分布,并利用改性铌酸锂薄膜作为功能基底来定制光电器件。表面 SnSe 2纳米片的特性,显着增强其光电检测能力。在相同条件下,基于嵌入Ag纳米粒子的LNOI的SnSe 2光电探测器的光电流比原始LNOI增强了高达1912倍,这代表了报道的等离子体诱导光电探测增强的最高值。这项工作深化了等离子体改性二维材料和铁电材料的基础研究,促进了片上光电探测器的发展以及将所有必要组件集成在单个芯片上的全功能光子电路的实现。
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更新日期:2024-02-13

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