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绿色水热合成超薄镁掺杂氧化铜纳米片:结构、电学和介电研究
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2024-02-08 , DOI: 10.1039/d3tc04086k H. A. A. Saadallah 1 , M. A. A. Mohamed 1, 2 , Y. P. Hardianto 3 , A. M. Abdel Hakeem 1 , S. A. Saleh 4 , R. Kyrychenko 2 , D. Wolf 2 , S. Schiemenz 2 , A. Popov 2 , S. Hampel 2 , E. M. M. Ibrahim 1
Journal of Materials Chemistry C ( IF 5.7 ) Pub Date : 2024-02-08 , DOI: 10.1039/d3tc04086k H. A. A. Saadallah 1 , M. A. A. Mohamed 1, 2 , Y. P. Hardianto 3 , A. M. Abdel Hakeem 1 , S. A. Saleh 4 , R. Kyrychenko 2 , D. Wolf 2 , S. Schiemenz 2 , A. Popov 2 , S. Hampel 2 , E. M. M. Ibrahim 1
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在这项工作中,通过无表面活性剂的水热法合成了纯CuO和Mg掺杂CuO(Cu 1− x Mg x O,x = 0.0、0.02、0.04和0.08)纳米片。X 射线衍射图证实了单相单斜 CuO 晶体结构的形成。使用场发射扫描电子显微镜的形态研究表明样品具有超薄纳米片状形态。使用高分辨率透射电子显微镜和选定区域电子衍射研究突出显示了内部微观结构。拉曼光谱研究证实了样品的化学键合、结构和相纯度。直流电导率测量揭示了低温和高温范围内的两种热激活传导机制,分别是由浅层和深层施主能级的载流子跃迁引起的。在303-403 K的温度范围和10 Hz-1 MHz的频率范围内分析了交流电导率和介电参数。交流电导率的频率和温度依赖性在 Jonscher 幂律和相关势垒跳跃模型的框架中得到了解释。介电常数和介电损耗被分析为频率和温度的函数,其行为与库普斯理论一致。此外,阻抗谱和科尔-科尔图的研究说明了晶界在介电弛豫过程中的重要作用。
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更新日期:2024-02-08
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