导电单层 TaS 是将自旋电子器件提升到新水平的有希望的候选者。通过第一性原理计算，我们证明了导电单层 TaS 中的本征自旋霍尔电导率（ISHC）及其与石墨烯的界面可以通过操纵材料的轨道结构通过应变来设计。首先，我们定量研究了单层 TaS 在压缩和拉伸应变下的轨道杂化。接下来，通过计算整个 BZ 上能带的自旋贝里曲率 (SBC)，我们研究了原始和应变单层 TaS 的自旋霍尔电导率。通过对能带结构的详细分析并表征费米能级附近能带凹度的变化，我们确定了可调谐ISHC的主要特征是与自旋轨道耦合（SOC）共轭的杂化强度。此外，我们的 SBC 预测能带结构计算表明 ISHC 的大小和杂交强度之间存在有趣的相关性。受轨道杂化与 ISHC 值之间相关性的启发，我们接下来研究石墨烯和单层 TaS 的异质结构。我们的计算表明，两种材料之间的轨道混合可以实现 235cm 的大 ISHC，这与许多自旋电子应用的先驱材料相当。这些发现提出了通过设计能带的轨道结构来设计用于自旋电子应用的新型材料的可能途径。



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