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g-C3N4 与 CuO 的异质结工程可增强光催化和光电化学性能
Energy Technology ( IF 3.6 ) Pub Date : 2024-01-30 , DOI: 10.1002/ente.202301340
Merin Joseph 1 , Suja Haridas 1, 2 , Sebastian Nybin Remello 1, 2
Energy Technology ( IF 3.6 ) Pub Date : 2024-01-30 , DOI: 10.1002/ente.202301340
Merin Joseph 1 , Suja Haridas 1, 2 , Sebastian Nybin Remello 1, 2
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虽然gC 3 N 4作为用于光（电化学）应用的聚合物半导体材料受到越来越多的关注，但人们采用了各种策略来增强gC 3 N 4的性能，其中异质结工程由于其高度简单性和效率而仍然是最优选的。这项工作使用简便的湿浸渍来获得具有降低的界面电阻的协同gC 3 N 4 /CuO异质结。 CuO 负载量为 5%（按重量计）时表现出最大性能。光催化效率可以通过评估可见光照射下环丙沙星的降解来确定。当该材料在中性介质中用作光电阴极时，在-0.67 V下观察到-3.5 mA cm -2的光电流密度，并且与gC 3 N 4集成可以解决与裸CuO光电阴极相关的稳定性问题。
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更新日期：2024-01-30
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