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原位生长坚固的一维覆盖层,用于稳定高效的 CsPbI3 钙钛矿太阳能电池,无需空穴传输层
Advanced Energy Materials ( IF 24.4 ) Pub Date : 2024-01-28 , DOI: 10.1002/aenm.202304038
Hailiang Wang 1 , Yongfa Song 1 , Zedong Lin 2, 3 , Weiping Li 1 , Huicong Liu 1 , Xiaozhen Wei 1 , Qixian Zhang 1 , Chunyu Lv 1 , Liqun Zhu 1 , Kexiang Wang 4 , Yisha Lan 5 , Lan Wang 6 , Changqing Lin 7 , Penggang Yin 4 , Tinglu Song 5 , Yang Bai 5 , Qi Chen 5 , Shihe Yang 2, 3 , Haining Chen 1
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CsPbI 3钙钛矿由于其合适的带隙(E g)和高化学稳定性而成为钙钛矿太阳能电池(PSC)中很有前途的光吸收剂,但钙钛矿相在环境大气中是亚稳态的并且容易形成缺陷。为了增强相稳定性并减少缺陷,在CsPbI 3上形成低维(LD)钙钛矿已被证明是有效的。然而,大多数低电导率LD钙钛矿的能级与CsPbI 3的能级不太兼容,这将损害电荷分离和器件性能。在此,报道了一种具有兼容能级和大E g的新型一维钙钛矿(5-Azaspiro[4.4]nonan-5-ium 三碘化铅,ASNPbI 3 )作为覆盖层。 p型ASNPbI 3与n-CsPbI 3形成具有交错能带排列的pn异质结,显着增强了载流子分离。此外,通过在中间阶段预形成ASNPbI 3 ,可以抑制钙钛矿膜中的缺陷。因此,基于无空穴传输体碳电极的CsPbI 3 PSC(C-PSC)的PCE达到18.34%,这是无机C-PSC的最高报告值之一。此外,疏水性ASNPbI 3覆盖层具有高热稳定性,大大增强了钙钛矿相稳定性。因此,CsPbI 3 C-PSC 在 N 2手套箱中 85°C 老化 400 小时后仍保持其初始 PCE 的 68% 。



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更新日期:2024-01-28
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