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Kagome基拓扑反铁磁Mn3Ga外延薄膜中的各向异性异常输运
Physical Review Materials ( IF 3.1 ) Pub Date : 2024-01-26 , DOI: 10.1103/physrevmaterials.8.014204
M. Raju , Ralph Romero , Daisuke Nishio-Hamane , Ryota Uesugi , Mihiro Asakura , Zhenisbek Tagay , Tomoya Higo , N. P. Armitage , Collin Broholm , Satoru Nakatsuji

3XX=, Ge, Ga) kagome Weyl 半金属因其非平凡的能带拓扑而具有巨大的反常霍尔效应、热效应和光学效应,引起了人们的广泛研究兴趣。这些大的拓扑效应以及可以通过各种实验手段操纵的反手性反铁磁序,为开发高速自旋电子学提供了独特的平台。3已知具有最大的尼尔温度(时间第480章 K),这对于开发反铁磁自旋电子学很有用。在这里,我们建立了反铁磁的外延生长3磁控溅射薄膜并展示其结构、磁输运、太赫兹特性和交换偏压效应3/NiFe 双层,确立了其卓越的特性,这对于未来设备应用的研究至关重要。



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更新日期:2024-01-26
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