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第一性原理研究ZnO/MoS2及其空位异质结构的电子和光学性质
International Journal of Quantum Chemistry ( IF 2.3 ) Pub Date : 2024-01-05 , DOI: 10.1002/qua.27329
Xiao Wang 1 , Hongyu Zhang 1 , Wen Yu 2
International Journal of Quantum Chemistry ( IF 2.3 ) Pub Date : 2024-01-05 , DOI: 10.1002/qua.27329
Xiao Wang 1 , Hongyu Zhang 1 , Wen Yu 2
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基于第一性原理计算，本文研究了空位对ZnO/MoS 2异质结构的结构、电子和光学性质的影响。结果表明，空位可以稳定地存在于异质结中，并导致带隙显着减小。具有O空位的ZnO/MoS 2保持带隙为0.119eV的半导体特性，而具有Zn空位的异质结构表现出金属特性。此外，缺陷异质结的吸收能力已扩展到红外光区域，并具有明显的红移。综上所述，空位工程有效改变了ZnO/MoS 2异质结构的电子和光学性质，为调节二维异质结构的光电性质、拓宽其在功能纳米电子和光电器件中的应用提供了可行的途径。
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更新日期：2024-01-06
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