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使用 X 射线吸收和 X 射线光电子能谱研究 Sc 化合物中的化学键合效应
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2024-01-04 , DOI: 10.1039/d3cp04108e
Anna Zimina 1, 2 , Aline Léon 3 , Ralph Steininger 4
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由于缺乏系统的系列光谱分析,除钪外,大多数过渡元素在离子-共价金属配合物 X 射线吸收过程中的化学键和电子相关效应的本质的理解上都取得了进展。参考光谱和钪化合物标准晶体学数据的缺乏。为了弥补这一差距,我们利用 Sc K 和 L 2,3吸收边的 X 射线吸收光谱 (XAS) 以及 X 射线光电子能谱 (XPS) 研究了八种 Sc 化合物的化学键合效应。事实上,XAS Sc K 边缘的精细结构反映了钪和配体之间形成的化学 sp 3类键,而 L 2,3边缘和 K 边缘的前边缘特征提供了对晶体的直接洞察配位化合物中 Sc 位点的场参数。 XPS 数据提供了有关因吸收高能 X 射线而引起的电子跃迁的核心电子的结合能信息。 XAS 和 XPS 通过获取块体和表面的 Sc 结构信息来相互补充。在此,通过光谱指纹 X 射线数据给出了基于 Sc 的众所周知的晶体材料的电子结构的全面信息。这将有助于通过对可用光谱指纹的系统评估来预测未知成分中化学键的形成。

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