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单二维铁磁体 Fe3GaTe2 中小电流的室温高矫顽力和高效多态磁化切换
ACS Materials Letters ( IF 9.6 ) Pub Date : 2024-01-02 , DOI: 10.1021/acsmaterialslett.3c01090
Gaojie Zhang 1, 2 , Hao Wu 1, 2 , Li Yang 1, 2 , Wen Jin 1, 2 , Bichen Xiao 1, 2 , Wenfeng Zhang 1, 2, 3 , Haixin Chang 1, 2, 3, 4
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室温下二维铁磁晶体矫顽力的电控制和高效磁化强度切换对于下一代二维自旋电子学至关重要。然而,已知的铁磁系统在室温下表现出矫顽力的有限可调节性,并且电感应磁化切换通常涉及高临界电流密度和大量功率耗散。在这里,我们报告了使用单个 2D 范德华 (vdW) 铁磁体 Fe 3 GaTe 2在室温下高度可调的矫顽力和高效的多态磁化强度切换。通过目前的应用可以将矫顽力调整到98.06%左右。此外,磁化翻转的临界电流密度和功耗非常低,分别约为 7.31 × 10 5 A·cm –2和 6.03 × 10 13 W·m –3。这种超低功耗比其他 2D 铁磁系统中观察到的功耗低 1-5 个数量级。此外,在室温下也实现了多态磁化切换。这项研究的结果为室温下铁磁性的电控制和 vdW 集成二维自旋电子学的实际实现铺平了道路。



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更新日期:2024-01-02
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