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揭示 g-C3N4 纳米片 Z 型异质结构上原位生长的 CdSe 量子点的双功能光/电催化活性,用于高效产氢
ACS Catalysis ( IF 11.3 ) Pub Date : 2024-01-02 , DOI: 10.1021/acscatal.3c03632
Amir Mehtab 1 , Tokeer Ahmad 1
Affiliation  

采用连续离子层吸附反应(SILAR)方法在gC 3 N 4纳米片表面沉积多个CdSe量子点(QD)。与gC 3 N 4的单个部分相比,所制备的异质结构对氧(OER)和析氢反应(HER)表现出改进的双功能光催化和电催化活性。值得注意的是,经过30次SILAR循环优化的CdSe QDs/gC 3 N 4异质结构在碱性条件下的OER和HER反应中表现出高性能和稳定性。所制备的异质结构催化剂还表现出对H 2析出反应的有效光催化活性,并在三乙醇胺作为牺牲剂存在下产生4306μmol H 2气体,表观量子产率为23.8%。光致发光光谱、电子顺磁共振和阻抗光谱表明,gC 3 N 4纳米片和 CdSe QD 之间的协同作用可带来更高的催化活性,如获得 10 mA cm –2电流密度的低过电势(147 和 218 mV)所示分别用于 HER 和 OER 反应。此外,还利用原位傅里叶变换红外光谱、液相色谱-质谱和高效液相色谱测定了光化学中间产物,以证实TEOA通过捕获空穴成功氧化。结果与光生电子以Z型方式从gC 3 N 4纳米片的导带(CB)转移到CdSe QD的价带(VB)的事实一致。



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更新日期:2024-01-02
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