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Ga(iBu)3 supported on meso H-ZSM-5: Effect of Si/Al ratio on the activity and selectivity in propane aromatization
Catalysis Communications ( IF 3.4 ) Pub Date : 2023-12-23 , DOI: 10.1016/j.catcom.2023.106825
Abou Nakad Jessy , Daniel Firth , Muhammad Taoheed Bisiriyu , Kai C. Szeto , Nicolas Merle , Aimery De Mallmann , Régis M. Gauvin , Laurent Delevoye , Unni Olsbye , Mostafa Taoufik
Catalysis Communications ( IF 3.4 ) Pub Date : 2023-12-23 , DOI: 10.1016/j.catcom.2023.106825
Abou Nakad Jessy , Daniel Firth , Muhammad Taoheed Bisiriyu , Kai C. Szeto , Nicolas Merle , Aimery De Mallmann , Régis M. Gauvin , Laurent Delevoye , Unni Olsbye , Mostafa Taoufik
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The grafting of Ga(iBu)3 on a series of meso-H-ZSM5, prepared by desilication-dealumination (Si/Al = 25, 50, 100, 200, ∞), has been studied. Materials were characterized by IR, solid-state NMR, BET, ICP and EXAFS. Ga(iBu)3 reacts selectively with silanol groups, yielding a monopodal surface species in the mesopores. Importantly, the Brønsted acidic sites remain intact in the micropores, as revealed by IR and 1H MAS-NMR. These materials can be regarded as bifunctional catalysts, containing isolated Ga sites and Brønsted sites in proximity, suitable for propane aromatization. Catalytic investigations show high activity and selectivity toward aromatics, particularly for low Si/Al ratios.
中文翻译:
中观 H-ZSM-5 负载的 Ga(iBu)3:Si/Al 比例对丙烷芳构化活性和选择性的影响
已经研究了 Ga(iBu)3 接枝在一系列中旋-H-ZSM5 上,通过脱硅-脱硫法制备 (Si/Al = 25, 50, 100, 200, ∞)。采用 IR 、 固体 NMR 、 BET 、 ICP 和 EXAFS 对材料进行表征。Ga(iBu)3 与硅醇基团选择性反应,在中孔中产生单足表面物种。重要的是,正如 IR 和 1 H MAS-NMR 所揭示的那样,Brønsted 酸性位点在微孔中保持完整。这些材料可以看作是双功能催化剂,包含分离的 Ga 位点和附近的 Brønsted 位点,适用于丙烷芳构化。催化研究表明,对芳烃具有高活性和选择性,特别是对于低 Si/Al 比率。
更新日期:2023-12-23
中文翻译:

中观 H-ZSM-5 负载的 Ga(iBu)3:Si/Al 比例对丙烷芳构化活性和选择性的影响
已经研究了 Ga(iBu)3 接枝在一系列中旋-H-ZSM5 上,通过脱硅-脱硫法制备 (Si/Al = 25, 50, 100, 200, ∞)。采用 IR 、 固体 NMR 、 BET 、 ICP 和 EXAFS 对材料进行表征。Ga(iBu)3 与硅醇基团选择性反应,在中孔中产生单足表面物种。重要的是,正如 IR 和 1 H MAS-NMR 所揭示的那样,Brønsted 酸性位点在微孔中保持完整。这些材料可以看作是双功能催化剂,包含分离的 Ga 位点和附近的 Brønsted 位点,适用于丙烷芳构化。催化研究表明,对芳烃具有高活性和选择性,特别是对于低 Si/Al 比率。