氧气对 MOCVD 低温沉积 Ga2O3 的影响,Crystal Growth & Design

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氧气对 MOCVD 低温沉积 Ga2O3 的影响
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2023-12-18 , DOI: 10.1021/acs.cgd.3c00815
Wenji Li _{1,

2} , Jiale Li _{1,

2} , Yao Wang _{1,

2} , Tao Zhang _{1,

2} , Wentao Wang _{1,

2} , Huhu Gao _{1,

2} , Xusheng Tian _{1,

2} , Yachao Zhang _{1,

2} , Qian Cheng _{1,

2} , Qian Feng _{1,

2} , Jincheng Zhang _{1,

2} , Yue Hao _{1,

2}

Affiliation

_{在这项研究中，利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了Ga 2} O ₃薄膜，沉积温度为400 °C。研究重点是研究氧对相对低温下合成的Ga ₂ O _{3薄膜的表面形貌、相变和光学特性的影响。}X射线衍射测试表明所有薄膜都是多晶的并且具有混合的β相和ε相。随着氧气流量从1400 sccm增加到1800 sccm，β-Ga ₂ O ₃成为主要材料。原子力显微镜分析表明均方根粗糙度有所下降。通过扫描电子显微镜测量的膜厚度分别为285.3、257.6、243.2和254.2nm。高分辨率透射电子显微镜证实了氧速率为2100 sccm时的混合相结构。此外，X射线光电子能谱结果表明，将氧气流量从1400 sccm增加到1800 sccm可以有效减少薄膜中的氧空位和缺陷。然而，过量的氧气流量（2100 sccm）会导致预反应的加剧和薄膜结晶质量的恶化。

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更新日期：2023-12-18

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