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通过 MoS2 纳米片表面氧化实现 MoS2/MoO3 异质结,用于高性能室温 NO2 气体传感
Journal of Alloys and Compounds ( IF 5.8 ) Pub Date : 2023-12-16 , DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.173208
Jinlong Yan , Yanyan Wang , Cheng Yang , Haoyuan Deng , Nantao Hu

过渡金属二硫属化物 (TMD) 因其卓越的半导体特性而成为室温气体传感的理想候选者。然而,裸TMD通常表现出灵敏度低、响应慢和恢复速度慢等缺点,这限制了它们的适用性。与单一材料相比,可以通过异质结构的实现来增强材料的传感性能。因此,提高金属硫化物气体传感器性能的关键在于独特异质结构的可控构建。在这项工作中,通过MoS纳米片的表面氧化,实现了由负载有三氧化钼(MoO)的二硫化钼(MoS)纳米花组成的表面异质结构,用于高性能室温检测NO气体。通过使用过氧化氢水溶液氧化花状 MoS2 可以轻松构建异质结构。基于MoS2/MoO异质结的气体传感器对1 ppm NO的响应率为18.9%,比MoS2传感器(2.1%)高九倍。此外,即使 NO 浓度低至 50 ppb,传感器响应也可达到 6.9%。该传感器表现出良好的重复性和优异的选择性。 MoS2/MoO异质结构增强的气敏性能可能源于MoS2的独特结构和界面处形成的-异质结。这项工作中提出的设计策略和构建的表面异质结构可以为高性能气敏材料和器件的开发提供指导。



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更新日期:2023-12-16
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