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嵌入 Cs4PbBr6 晶体中的光致发光纳米 CsPbBr3:形成机制和性能
Crystal Growth & Design ( IF 3.2 ) Pub Date : 2023-12-16 , DOI: 10.1021/acs.cgd.3c01226
Weihao Sun, Yuan-Ting Hung, Wen-Tse Huang, Ru-Shi Liu, Wuzong Zhou

采用反溶剂法合成了发光晶体溴化铯铅,前驱体中 Cs:Pb 的标称比在 4.5:1 至 1:1 范围内变化。尽管所有样品的粉末X射线衍射图均显示Cs 4 PbBr 6为纯相或主相,但高分辨率透射电子显微镜图像显示,所有Cs 4 PbBr 6晶体中均嵌入有大量CsPbBr 3纳米微晶。 。提出了这些钙钛矿纳米微晶作为光致发光实际活性中心的形成机制。晶体生长中最关键的步骤是沉积含有通过 Cs +连接的聚合 PbBr 6 4–的非晶涂层,Cs:Pb 比例约为 3:1,因此,实际的晶体生长位点位于界面处晶体和涂层之间,而不是晶体/溶液界面。Cs 4 PbBr 6形成过程中局部缺乏Cs导致在Cs 4 PbBr 6母晶体内部形成CsPbBr 3纳米微晶。与裸露的CsPbBr 3 晶体相比,嵌入的CsPbBr 3纳米晶的光致发光量子产率和稳定性显着提高。母体晶体和嵌入的纳米微晶的这种同时生长为铯铅卤化物基光致发光材料的进一步开发提供了线索。



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更新日期:2023-12-16
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