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二维过渡金属二硫化物欧姆 FET 器件的第一性原理设计
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2023-12-13 , DOI: 10.1002/adfm.202310077
Zahra Golsanamlou 1 , Alessandro Fortunelli 2 , Luca Sementa 1
Advanced Functional Materials ( IF 18.5 ) Pub Date : 2023-12-13 , DOI: 10.1002/adfm.202310077
Zahra Golsanamlou 1 , Alessandro Fortunelli 2 , Luca Sementa 1
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氯掺杂的二硫化铪 (HfS 2 ) 超薄相被提议作为二维场效应晶体管 (FET) 器件应用的理想候选材料，可达到 5 nm 以下的极端小型化极限。这种过渡金属二硫属化物二维材料旨在结合金属和半导体的特性，表现出与普通金属相当的高电导率，由于紧邻费米能级及其反常的能隙，可以通过选通突然降低电导率。金属特性。这些独特的功能能够实现 FET 器件的替代设计，其中电极和沟道由相同的 Cl 掺杂 ML HfS 2相制成，这是绕过与电子（肖特基）和结构不均匀性或低电导率相关的所有问题的潜在突破阻碍了这一领域的进展。这种材料/设计组合将产生具有纯欧姆行为、高金属电导、无界面接触电阻以及具有极高开/关比的轻松选通的 FET 器件。
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更新日期：2023-12-13
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