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单晶铁电AlScN纳米线
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2023-12-12 , DOI: 10.1039/d3ce00990d Xiaoman Zhang 1 , Wangwang Xu 1 , W. J. Meng 1 , Andrew C. Meng 2
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2023-12-12 , DOI: 10.1039/d3ce00990d Xiaoman Zhang 1 , Wangwang Xu 1 , W. J. Meng 1 , Andrew C. Meng 2
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尽管氮化铝钪（AlScN）铁电材料在神经形态计算应用中具有巨大的潜力和巨大的前景，但与器件工程相关的挑战，以及使用不同气相合成方法在各种基板上生长的薄膜中相当大的结构紊乱，使得很难系统地研究结构-性能关系。在这项工作中，我们从晶体生长方面解决了这些问题，在高衬底偏压和低原子通量条件下通过超高真空反应溅射成功生长了高质量的单晶 AlScN 纳米线，从而实现了同时生长和蚀刻。使用 X 射线衍射和透射电子显微镜对纳米线阵列进行表征表明，这些线是外延单晶，马赛克分布显着减少，并且主要是单个铁电域。此外，使用压电响应力显微镜评估了铁电和压电特性。单晶AlScN纳米线的面外压电常数d 33大于20 pm V -1，比纯AlN高约4倍。
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更新日期：2023-12-12
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