延迟荧光显示出增强光电器件性能的巨大潜力。然而，三重态-三重态湮没（TTA）上转换在光电晶体管中的应用仍然是个谜。本研究通过混合聚(1-芘甲基丙烯酸甲酯) (PPyMA) 和三(2-苯基吡啶)铱(III) [Ir(ppy) ₃ ] 作为浮栅驻极体，研究了 TTA 对光电晶体管存储器的影响。在TTA过程中，PPyMA充当发射体，而Ir(ppy) ₃充当敏化剂以有效地吸收更长波长的光。为了利用 TTA 的延迟荧光，2,7-二辛基苯并[ lmn ][3,8]菲咯啉-1,3,6,8(2 H ,7 H )-四酮 (C8-NDI) 的吸光度与延迟荧光并防止蓝光的直接激发，被用作半导体沟道层。进行全面的光学和形态分析，以评估 TTA 对光存储器件的影响，并确认系统内 TTA 过程的存在。我们比较了典型荧光（365 nm）和延迟荧光（455 nm）对采用 PPyMA 聚合物驻极体和 PPyMA/Ir(ppy) ₃作为浮栅的器件的光响应和存储性能的影响。值得注意的是，PPyMA/Ir(ppy) ₃在十次耐久性循环后表现出优异的稳定性，并在 10 ⁴ s的持续时间内表现出更高的记忆比 (>10 ⁵ ) ，优于其对应的 PPyMA。这一观察结果表明，TTA 产生的激子具有更长的寿命，有利于更有效的电荷转移。总之，TTA 产生的延迟荧光显示出增强光电晶体管记忆的潜力。这些发现证明了延迟荧光作为赋予光电晶体管额外和卓越记忆能力的机制的有效性，从而强调了未来光电应用的潜力。



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