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掺杂、应力和厚度对铁电 HfO2 压电响应的影响及其与极化的关系
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-12-02 , DOI: 10.1021/acsaelm.3c01154
Huan Tan 1 , Saúl Estandía 1 , Florencio Sánchez 1 , Ignasi Fina 1
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-12-02 , DOI: 10.1021/acsaelm.3c01154
Huan Tan 1 , Saúl Estandía 1 , Florencio Sánchez 1 , Ignasi Fina 1
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氧化铪的压电响应很有趣,因为它是一种 CMOS 兼容材料。众所周知,极化取决于斜方相的稳定性,而斜方相的稳定性又取决于几个参数,例如掺杂、应力和厚度。在此,考虑到这种多因素依赖性,研究了通过压电力显微镜表征的外延掺杂 HfO 2薄膜中的压电响应。分析了不同级别的 La 和 Zr 掺杂的影响、由衬底选择控制的应力效应的变化以及厚度效应对压电响应的影响。研究发现压电响应主要与极化相关,即主要由斜方相的量决定。有趣的是,对于表现出类似偏振的薄膜,观察到Zr 掺杂二氧化铪比La 掺杂产生更大的压电响应。发现纯ZrO 2薄膜的压电响应最大;然而,压电力显微镜没有观察到实际的铁电响应,这表明一般趋势的例外。结论是,在样品显示大量斜方相的情况下,尖端半径效应引起的外在效应会影响压电响应幅度的评估。
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更新日期:2023-12-02

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