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原位构建具有界面C─O桥键的V2O5纳米片/氮掺杂碳纳米片异质结构作为锌离子电池正极材料
Small ( IF 13.0 ) Pub Date : 2023-11-30 , DOI: 10.1002/smll.202309029
Najeeb Ur Rehman Lashari 1, 2 , Anuj Kumar 3 , Irfan Ahmed 4 , Jie Zhao 1 , Arshad Hussain 5 , Usman Ghani 2 , Geng Luo 2 , Ghulam Yasin 6 , Muhammad Asim Mushtaq 2 , Dongqing Liu 7 , Xingke Cai 2
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层状氧化物广泛用作金属离子电池的电极材料。然而,对于大半径尺寸的离子,例如Zn 2+和Al 3+ ,层状氧化物的紧密堆叠层和差的导电性导致活性位点数量有限和反应动力学缓慢。在这项工作中,提供了一种简便的原位构建策略来合成层状氧化物纳米片/氮掺杂碳纳米片(NC)异质结构,其显示出比层状氧化物更大的层间距和更好的导电性。结果,层间廊道内的Zn 2+离子扩散大大增强,并且可以更好地利用廊道内的存储位点。同时,NC层和氧化物纳米片通过C─O键桥接形成稳定的结构,这比纯层状氧化物具有更好的循环稳定性。最佳V 2 O 5 @NC-400正极在0.1 A g -1下显示300次循环的容量为467 mA hg -1 ,在5 A g -1下显示4000次循环的长期循环稳定性,容量保持率为92%。所有这些性能参数都是氧化钒基正极材料中最好的。

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