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通过富硒对 WSe2 纳米片进行 2H–2M 相控制以增强电催化析氢反应
Advanced Materials ( IF 27.4 ) Pub Date : 2023-11-27 , DOI: 10.1002/adma.202307867
Ik Seon Kwon 1, 2 , In Hye Kwak 1, 3 , Ju Yeon Kim 1 , Seung Jae Lee 1 , Qadeer Akbar Sial 1 , Junaid Ihsan 1 , Kug-Seung Lee 3 , Seung Jo Yoo 4 , Jeunghee Park 1 , Hong Seok Kang 5
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过渡金属二硫属化物 (TMD) 的相控制是一种有趣的方法，可用于调整电子结构以实现广泛的应用。在这项研究中，通过胶体反应合成的WSe 2纳米片在富硒生长条件下（即增加Se前驱体的浓度或降低生长温度）表现出从半导体2H到金属2M的相转变。高分辨率扫描透射电子显微镜图像用于识别 2M 相的堆积顺序，这与 1T' 相的堆积顺序不同。采用各种富硒模型（插层和取代）的第一性原理计算表明，富硒会诱导向 2M 相的转化。 Se过量的2M相WSe 2纳米片在析氢反应（HER）中表现出增强的电催化性能。原位X射线吸收精细结构研究表明，2M相WSe 2中过量的Se原子增强了HER催化活性，这得到了H吸附的吉布斯自由能(Δ G H* )和费米丰度函数的支持。这些结果为 TMD 催化剂的相控制提供了一种有吸引力的策略。
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