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具有低表面电导率的柔性 CNT-MXene-CNT 薄膜，用于高功率和低功率电磁吸收保护
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-11-26 , DOI: 10.1021/acsaelm.3c01285 Yunbo Guo 1 , Yu Bai 2 , Yinxiang Lu 1, 3, 4
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2023-11-26 , DOI: 10.1021/acsaelm.3c01285 Yunbo Guo 1 , Yu Bai 2 , Yinxiang Lu 1, 3, 4
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具有低表面电导的高吸收性能太赫兹（THz）和GHz吸收体在军事电磁防护和多频段通信应用中迫切需要。在此，提出了具有成本效益的改性接枝和热压成型方法，以构建基于改性甲基乙烯基硅橡胶（MVSR）的CNT-MXene-CNT薄膜。由此产生的 3 mm CNT-1.1-MXene-1.9-CNT-1.1 样品在 2–12.5 GHz 范围内表现出约 29.2 dB 的平均电磁干扰屏蔽效能 (EMI SE)，在 0.1–2.2 THz 范围内表现出 48.2 dB 的良好 EMI SE 。此外，优化后的样品在GHz和THz频段的高功率测试条件下还获得了约31.8和41.2 dB的优异EMI SE。此外，CNT-1.1-MXene-1.9-CNT-1.1样品的总负载量仅为约1.5%，表面电导率低至2.3 μS/m。所制备的具有低表面电导的吸收体在未来的军事和民用应用中表现出巨大的潜力。
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更新日期：2023-11-26
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