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通过原位 TEM 研究 Janus 和合金多晶型单层 TMD 中偏压诱导降解的原子尺度机械行为
Small Science ( IF 11.1 ) Pub Date : 2023-11-21 , DOI: 10.1002/smsc.202300129
Hsin-Ya Sung, Chieh-Ting Chen, Yi-Tang Tseng, Yu-Lun Chueh, Wen-Wei Wu

二维 Janus 过渡金属二硫属化物 (TMD) 和合金化 TMD 是一类经过广泛研究的新兴二维材料,由于其优异的电子、光学和机械性能,已广泛用于电子设备。基于二维材料的器件的性能和行为,例如结构失效引起的电击穿,是引起人们广泛关注的重要问题。在这项研究中,通过原位偏置实验研究了多晶型硫化钼硒化物 (MoSSe) 器件的电学行为,并使用原子尺度的透射电子显微镜 (TEM) 进行记录。硒化温度是材料相变的关键因素,进一步影响MoSSe的电学和机械性能。还通过实验和理论相结合的方式讨论了电子束照射和偏置电压的影响。量化缺陷覆盖率和缺陷大小也有助于我们了解材料降解的行为。此外,Cs 校正扫描 TEM 用于识别形态的演变。合成结构的断裂形貌也随着高电压的施加而变化。从断裂类型和尺寸方面研究焦耳热引起的裂纹和缺陷。



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更新日期:2023-11-21
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