事实证明，带边缘位置的确定在不同领域中特别重要。我们对确定带边缘对齐的不同方法进行了比较。为此，我们建议研究 ZrO|VO 异质结。通过 X 射线衍射 (XRD) 研究的结构性质揭示了具有斜方结构的纯 VO 的形成。然而，所得的 ZrO 呈现出两种不同的相（单斜晶系和四方晶系）。根据吸收光谱，发现 VO、ZrO 和 ZrO|VO 的近带边缘分别为 2.07、4.9 和 2.12 eV。通过 Tauc 方法测定的相应带隙值分别为 2.32、5.16 和 2.35 eV。详细讨论了纯材料和结材料的下转换光致发光（PL）光谱。 ZrO 中的上转换揭示了其带隙值（~5.14 eV），这与 Tauc 方法获得的带隙值（~5.16 eV）非常接近。 ZrO|VO 异质结的带隙排列是使用 Sanderson 方法并使用 X 射线光电子能谱 (XPS) 进行实验确定的。在这项工作中，我们提出了一项深入的光致发光研究，通过探测羟基自由基（H2O）的产生来确认异质结的类型。



"点击查看英文标题和摘要"