将二维 (2D) 半导体材料集成到忆阻器结构中，为新兴 2D 材料在广泛的存储器应用领域的应用铺平了道路。氧硒化铋（BioSe）是一种具有高电子迁移率的二维材料，由于其在各个先进应用领域的巨大潜力而​​引起了人们的广泛研究兴趣。在这里，我们通过交叉点设备探索了少层 BIOSe 的平面外固有开关行为，以应用于导电桥随机存取存储器 (CBRAM) 和用于神经形态计算的人工突触。通过最先进的方法，CVD 生长的 BioSe 纳米板被用作 Al/Cu/BioSe/Pd CBRAM 结构中的开关材料 (SM)。该器件具有 ~90 个连续直流周期，在 1 mA 顺应电流 (CC) 下具有紧密的 SET/RESET 电压分布、超过 10 ks 的保持时间，以及在 Vread 值为 0.1 时显示四种不同状态的多级开关特性， 0.2、0.25和0.3 V。此外，通过调节电导实现了人工突触的增强和抑制。基于 HRTEM 分析，通过 BIOSe 中的 Cu 迁移来解释切换机制。目前的结构显示了未来集成存储器应用的潜力。



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