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FePSe3 纳米带中的电感应净磁化强度：边缘重建的作用
Nanoscale ( IF 5.8 ) Pub Date : 2023-11-16 , DOI: 10.1039/d3nr04656g Wenqi Zhang 1 , Weifeng Xie 2 , Bin Shao 1, 3 , Xu Zuo 1, 4, 5
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纳米带系统的磁化边缘态为设计功能自旋电子器件开辟了一条新途径。在这里，我们介绍了在反铁磁（AFM）半导体纳米带中产生非零净磁化强度的一般机制。在所提出的自旋构型中，其中靠近费米能的一侧的空边缘态和占据边缘态位于同一自旋通道中，由电场产生的相对边缘状态之间的塞曼型自旋分裂允许系统从 AFM 半导体相调谐到铁磁 (FM) 金属相，产生非零净磁化强度。我们的从头计算表明，这种策略在 FePSe 3纳米带的例子中是可以实现的，其中 Se 终止边缘的自钝化驱动重建产生了关键的自旋构型。此外，我们证明电场可以触发AFM半导体、AFM半金属和FM金属相之间的一系列电子相变，基于此我们能够设计一种电子可控的多功能自旋电子器件。
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