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Molecular Beam Epitaxy Growth of Cadmium Telluride Structures on Hexagonal Boron Nitride
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-11-14 , DOI: 10.1021/acsomega.3c05699 Adam Krzysztof Szczerba 1 , Julia Kucharek 1 , Jan Pawłowski 1 , Takashi Taniguchi 2 , Kenji Watanabe 3 , Wojciech Pacuski 1
ACS Omega ( IF 3.7 ) Pub Date : 2023-11-14 , DOI: 10.1021/acsomega.3c05699 Adam Krzysztof Szczerba 1 , Julia Kucharek 1 , Jan Pawłowski 1 , Takashi Taniguchi 2 , Kenji Watanabe 3 , Wojciech Pacuski 1
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We investigate the feasibility of the epitaxial growth of a three-dimensional semiconductor on a two-dimensional substrate. In particular, we report for the first time the molecular beam epitaxy growth of cadmium telluride (CdTe) quantum wells on hexagonal boron nitride (hBN). The presence of the quantum wells is confirmed by photoluminescence measurements conducted at helium temperatures. Growth of the quantum wells on two-dimensional, almost perfectly flat hBN appears to be very different from growth on bulk substrates; in particular, it requires 70–100 °C lower temperatures.
中文翻译：
六方氮化硼上碲化镉结构的分子束外延生长
我们研究了在二维衬底上外延生长三维半导体的可行性。特别是，我们首次报道了六方氮化硼（hBN）上碲化镉（CdTe）量子阱的分子束外延生长。通过在氦温度下进行的光致发光测量证实了量子阱的存在。量子阱在二维、几乎完全平坦的六方氮化硼上的生长似乎与在块状基板上的生长有很大不同；特别是，它需要低 70–100 °C 的温度。
更新日期：2023-11-14
中文翻译：
六方氮化硼上碲化镉结构的分子束外延生长
我们研究了在二维衬底上外延生长三维半导体的可行性。特别是，我们首次报道了六方氮化硼（hBN）上碲化镉（CdTe）量子阱的分子束外延生长。通过在氦温度下进行的光致发光测量证实了量子阱的存在。量子阱在二维、几乎完全平坦的六方氮化硼上的生长似乎与在块状基板上的生长有很大不同；特别是，它需要低 70–100 °C 的温度。
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