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在小能量剂量下，高分辨率 EUV 光刻胶即可获得高度羟基化的铪簇
Nanoscale Advances ( IF 4.6 ) Pub Date : 2023-11-10 , DOI: 10.1039/d3na00508a Yu-Fang Tseng, Pin-Chia Liao, Po-Hsiung Chen, Tsai-Sheng Gau, Burn-Jeng Lin, Po-Wen Chiu, Jui-Hsiung Liu
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这项工作报告了成功获得高分辨率负色调 EUV 光刻胶，而聚集机制中没有激进的链增长。描述了高度羟基化的Hf 6 O 4 (OH) 8 (RCO 2 ) 8簇3 （R = s-丁基或s -Bu）的合成；其 EUV 性能仅在 30 mJ cm -2下即可实现 HP = 18 nm 的高分辨率图案。这种光刻胶还可以实现电子束光刻的高分辨率图案。我们的新光刻胶设计增加了 Hf 6 O 4 (OH) 4 (RCO 2 ) 12簇中羧酸盐配体的氢氧化物取代，从而提高了 EUV 分辨率，并大大减少了 EUV 剂量。机理分析表明，EUV 光不仅能够实现羧酸配体的光解，而且还能增强 Hf-OH 脱水。簇3的另一个优点是 EUV 图案开发后薄膜厚度损失非常小（约13%）。
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