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应变双层 CrSBr 中的磁电子耦合
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-11-08 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c06426 Cong Hou 1, 2 , Xinming Wang 1, 2 , Yibo Sun 1, 2 , Yuhang Lu 1, 2 , Jun Ni 1, 2
The Journal of Physical Chemistry C ( IF 3.3 ) Pub Date : 2023-11-08 , DOI: 10.1021/acs.jpcc.3c06426 Cong Hou 1, 2 , Xinming Wang 1, 2 , Yibo Sun 1, 2 , Yuhang Lu 1, 2 , Jun Ni 1, 2
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最近,范德瓦尔斯层状磁性CrSBr已成功合成,引起了人们的广泛关注。CrSBr 结晶为斜方对称群,表现出三轴磁各向异性,显示出强大的调制潜力。通过第一性原理和蒙特卡罗模拟,我们研究了双层 CrSBr 的磁性能。我们发现,通过改变堆叠模式,双层 CrSBr 往往具有不同的磁序。在双轴应变下,当双轴压缩应变达到-2%时,位错堆叠的双层CrSBr可以从反铁磁(AFM)态转变为铁磁(FM)态。作为三轴磁各向异性材料,直接堆叠的CrSBr在4%的双轴压缩应变下,双层CrSBr的硬磁化轴从x轴变为z轴。此外,磁电子耦合可以影响自旋激子在真实空间中的分布。在FM状态下,自旋激子广泛分布在顶层和底层。在AFM状态下,自旋向上激子只能在底层被激发,自旋向下激子只能在顶层被激发。因此,自旋激子的分布与磁序耦合。基于磁电子耦合,可以通过施加双轴应变或改变双层 CrSBr 中的堆叠模式来调制自旋激子的分布。
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更新日期:2023-11-08
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